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Dual, SiGe, High-Linearity, 700MHz to 1000MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer/Switch
Typical Operating Characteristics (continued)
(Typical Application Circuit, V CC = +3.3V , P LO = 0dBm, P RF = -5dBm, LO is high-side injected for a 200MHz IF, T C =+25°C, unless
otherwise noted.)
60
55
50
45
CHANNEL ISOLATION
vs. RF FREQUENCY
V CC = 3.3V
60
55
50
45
CHANNEL ISOLATION
vs. RF FREQUENCY
V CC = 3.3V
60
55
50
45
CHANNEL ISOLATION
vs. RF FREQUENCY
40
T C = -30°C, +25°C, +85°C
40
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
40
V CC = 3.0V, 3.3V, 3.6V
35
30
35
30
35
30
700
800
900
1000
700
800
900
1000
700
800
900
1000
-20
-25
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
V CC = 3.3V
-20
-25
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
V CC = 3.3V
-20
-25
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
-30
T C = -30°C
-30
P LO = +3dBm
-30
V CC = 3.6V
V CC = 3.3V
-35
-35
-35
-40
-45
T C = +85°C
T C = +25°C
-40
-45
P LO = -3dBm
P LO = 0dBm
-40
-45
V CC = 3.0V
-50
-50
-50
900
950
1000
1050
1100
1150
1200
900
950
1000
1050
1100
1150
1200
900
950
1000
1050
1100
1150
1200
50
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION
vs. RF FREQUENCY
V CC = 3.3V
50
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION
vs. RF FREQUENCY
V CC = 3.3V
50
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION
vs. RF FREQUENCY
45
T C = +85°C
45
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
45
V CC = 3.0V, 3.3V, 3.6V
40
40
40
35
T C = -30°C
35
35
T C = +25°C
30
30
30
700
800
900
1000
700
800
900
1000
700
800
900
1000
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
______________________________________________________________________________________
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